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            三星公布內存路線圖:2027年DDR6內存將突破10Gbps

            2022-10-09 09:08:31   評論:0   [收藏]   [評論]
            導讀:  IT之家10月8日消息,據德媒computerbase消息,三星在SamsungFoundryForum2022活動中介紹了其內存路線圖! ∪缟蠄D所示,在即將到來的2023年,三星將進入1bnm工藝階段,內存芯片容量將達到24Gb(3GB)- 32Gb
              IT之家10月8日消息,據德媒computerbase消息,三星在SamsungFoundryForum2022活動中介紹了其內存路線圖。

              如上圖所示,在即將到來的2023年,三星將進入1bnm工藝階段,內存芯片容量將達到24Gb(3GB)- 32Gb(4GB),原生速度將在6.4-7.2Gbps。顯存方面,新一代 GDDR7顯存將在明年問世,因此AMD和英偉達顯卡的新一代顯卡的中期改款就有可能會用上GDDR7顯存。

              此外,三星還進行了一些長遠的設想,如2026年推出DDR6內存,2027年即實現原生10Gbps的速度。

              三星也公布了其閃存的路線圖,預計將在2024年推出V9NAND芯片。

              IT之家曾報道,三星在此前的 TechDay2022活動中指出,其第九代V-NAND正在開發中,計劃于2024年量產。到2030年,三星設想NAND堆疊超過1,000層,以更好地支持未來的數據密集型技術。三星還宣布,全球最高容量的1TbTLCV-NAND將于今年年底向客戶提供。

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            責任編輯:zsz

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